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ATP宣布推出具有8 GB模块的新型DDR3存储器
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领先的内存和存储解决方案制造商ATP Electronics 宣布了其承诺，将通过新的8 Gbit大容量模块来避免DDR3内存短缺 ，该模块专门为尚未升级的嵌入式和工业网络客户设计。最新一代DDR4内存平台。
ATP应对DDR3内存不足
随着DRAM存储器市场向DDR4迁移，ATP致力于防止DDR3存储器供应短缺，这可能对许多公司的业务运营产生不利影响。 ATP全球营销副总裁Marco Mezger评论； “为了现在和不久的将来继续满足特定DDR3存储器的需求，例如VLP RDIMM或高密度SO-DIMM，ATP决定为这些模块提供自己的8 Gbit DDR3组件 。 ”
ATP DDR3模块由经过严格测试的高质量集成电路（IC）组成 。 使用2xnm制造工艺技术按照严格的ATP标准制造组件，并通过全面的组件测试程序进行测试以提高内存模块的性能。
ATP DDR3模块以单片8Gb单芯片（1CS）或双芯片选择DDP（2CS）的形式提供，用于基于此技术的各种存储模块。 1CS封装的DIMM，SO-DIMM和Mini-DIMM的容量为16GB，传输速率为1600MT / s。 ATP提供2CS DIMM，容量为16至32 GB，容量为1333或1600 MT / s，而2CS Mini-DIMM，容量为8 GB，容量为1600 MT / s。 ECC和non-ECC选项也有各种格式。
