处理器
在显微镜下分析核心i3-8121u揭示了10 nm tri的秘密
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英特尔新的10 纳米Tri-Gate制造工艺的抵抗力超出了预期，因为其最初计划的发布已经比原计划推迟了两年多。 研究人员对采用这种工艺制造的Core i3-8121U进行了消毒 ，以试图阐明其一些关键。
英特尔的10nm Tri-Gate制造工艺非常雄心勃勃
在Core i3-8121U处理器的显微镜下进行的分析 表明， 与目前的14nm工艺相比 ，英特尔的10nm Tri-Gate制造工艺使晶体管密度提高了2.7倍。 nm三门 。 这项巨大的进步使每平方毫米集成了至少1.008亿个晶体管，这转化为128亿个晶体管，矩阵尺寸仅为127mm² 。
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这个10nm的节点使用第三代FinFET技术 ，其特征是最小栅极间距从70nm 减小到54nm，最小金属间距从52nm减小到36nm 。 借助这些10 nm，英特尔将在钴和硅基板的锚固层中引入钴金属化层 。 钴是钨的替代品，因为钨在较小的尺寸下具有较低的电阻，因此它是替代钨和铜的层间接触材料。
这是英特尔最雄心勃勃的制造流程，这将是造成该公司所有问题的主要原因 ，尽管如果他们未能达到足够的成熟度，那么将没有太大的野心。 希望英特尔能够对其进行微调，以便为我们提供最好的处理器。
