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二氧化钒可以彻底改变电子产品
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洛桑联邦理工学院的科学家们对他们看到的二氧化钒 （VO2）的特性和可能性感到兴奋， 二氧化钒 （VO2）的性能可能超过硅，并导致了新一代电子产品的出现。
二氧化钒将是新技术革命
洛桑联邦理工学院的科学家们发现二氧化钒的巨大机遇 ，特别是在空间通信系统，神经形态计算和高频雷达领域。 该元件在室温下充当绝缘体，但在68°C以上时充当导体。
市场上最好的处理器（2018年1月）
发生这种变化的原因是，在此温度下，材料从晶体原子结构转变为金属原子结构 ，即“金属-绝缘体转变”或简称MIT。 这种变化所需的时间不到一纳秒，这使其成为电子产品的诱人特性。
这种变化发生在太低的温度下，无法在电子产品中使用，但是，EPFL研究人员设法通过将锗添加到VO2中，使其在高于100°C的温度下发生 。
此外， VO2还对可能引起其相变的其他因素敏感 ，例如注入电能或施加THz辐射脉冲 。 该研究项目将持续到至少2020年，并获得了欧盟390万欧元的资助。
