Globalfoundries 12lp +承诺与7nm tsmc作战

GlobalFoundries （GF）周二宣布推出其12 Leading Performance （12LP）平台的新增功能 ，称为12LP + 。 该公司声称它将显着提高性能，并减少功率和面积。 它还包含一个低压SRAM位单元。

GlobalFoundries宣布了其新的12LP +工艺的新闻

GlobalFoundries（GF）承诺了7nm的许多功能和性能优势 ，但价格却比12LP平台低。 这个新节点还将晶体管密度提高了15％。

GF表示，与12LP基本平台相比 ， 12LP + FinFET工艺可提供20％的性能提升或40％的功耗降低 （反过来，与16 / 14nm节点相比，其性能可提高10％，在逻辑区域的规模上提高了15％）。 台积电在将其7纳米制程与16纳米制程进行比较时，所宣称的改进量是相同的。

GF在一份声明中将其新工艺与7nm工艺进行了比较，还提到了其较低的成本： “作为一种先进的12nm技术，我们的12LP +解决方案已经为客户提供了该工艺所期望的大多数性能和功耗优势。的成本仅为7nm，但其NRE（非经常性工程）成本平均只有一半，这意味着可节省大量资金 。 ”

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另一个新功能是0.5V SRAM单元，GF声称它具有高速，低功耗的特性 ，可用于在存储器和处理器之间交换数据，例如在人工智能（AI）应用中。 对于AI应用程序，GF提供了设计参考包和设计技术联合开发服务（DTCO）。 还有一个用于2.5D封装的新型应答器，以促进高带宽存储（HBM）。 最后，该公司还表示，ARM已经为AI应用开发了Artisan Physical IP和POP IP，它们也将适用于12LP。

GlobalFoundries的目标是AI和云计算芯片，并表示已经拥有多个客户。 预计将于2021年开始批量生产。

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