HBM 3D堆叠记忆体将与AMD海盗岛一同抵达

Hynix和AMD共同创建了新的HBM存储器 ，以替代已经落后了数年的当前停滞的GDDR5。 与GDDR5相比，新内存的设计旨在为未来的GPU提供高带宽 ，同时降低其功耗。

在第一代新存储器中，海力士将4个DRAM存储器放置在一个简单的层中，该层将通过称为TSV（硅通孔）的垂直通道相互连接。 它们每个都将能够传输1 Gbps，由于每个堆栈有4行，因此理论上可提供128 GB / s的带宽。

第二代将具有256 MB的块，形成1 GB的堆栈，而堆栈又将形成4 GB的模块。 提供256 GB / s的带宽。 他们还相信他们将能够达到8层，这将允许增加容量，但不能增加带宽。

这种类型的内存将在基于海盗岛并制造于20nm的新型AMD Radeon R9 300系列图形卡中首次亮相 。 AMD已与Hynix合作开发了HBM内存，并将能够在Nvidia必须等到2016年的采矿年期间独家使用HBM内存，而其Pascal架构才能使用它，因此2015年推出的产品将继续使用GDDR5。 预计AMD还将在其未来的APU中使用HBM内存。

AMD和Hynix打算在未来几年内继续开发这项技术，以寻求提高其容量，性能和能效。

资料来源：wccftech和videocardz