HBM2E Flashbolt，三星的第三代内存

三星是先进存储技术的全球领导者，并通过FlashboltHBM2E再次证明了这一点 。 我们在里面告诉你。

这家韩国公司宣布推出第二代 宽带存储器“ 第三代闪存”。 这是HPC （ 高性能计算 ）领域的一项突破，因为新的16GB HBM2E内存具有广阔的前景。 因此，我们建议您不要离开屏幕，因为下面有所有详细信息。

三星Flashbolt，向未来迈出了又一步

该存储器将针对高性能计算系统 （HPC）领域，它是一种新型16GB HBM2E存储器 ，可以为制造商提供其超级计算机所需的进步。 因此，例如，所有的AI数据分析都非常幸运。

市场营销和内存销售执行副总裁Cheol Choi说了以下几句话：

随着今天性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出重要的一步，以增强我们在快速增长的高端存储器市场中作为创新领导者的作用。

随着我们巩固在全球内存市场的优势，三星将继续兑现其提供真正差异化解决方案的承诺。

随着上一代 8GB HBM2E “ Aquabolt ”的推出， Flashbolt似乎将提供更高的性能和能效 ，这对超级计算机而言是巨大的一步。 它的16 GB容量是通过在芯片顶部实现10纳米 DRAM的8层垂直额定容量来实现的。

此外， HBM2E封装随后通过硅以40, 000多个微型泵的精确排列方式连接，因此每个16GB包含5600多个微观孔 。

三星Flashbolt的传输速率为3.2 Gbps ， 每个堆栈提供410 GB / s的宽带内存。 实际上，其最大传输 速率为4.2 Gbps ，即每个堆栈538 GB / s的宽带。 我们正在谈论将性能提高近一倍的技术。

发射

这家韩国公司希望在今年的前六个月开始生产这些记忆。 目前，它将继续分发第二代Aquabolt，直到Flashbolt HBM2E可用为止。

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