IBM将拥有制造7nm以上芯片的关键

IBM及其“区域选择性沉积”寻求提高7nm及更高的制造效率

Big Blue棺材正在一个称为“区域选择性沉积”的区域工作，他们认为这可以帮助克服光刻技术的局限性，从而无法在7nm工艺中在硅上创建图案。

诸如“多图案”之类的技术有助于确保IC继续扩展，但是随着芯片从28nm缩小到7nm，芯片制造商不得不处理更多的层，而这些层的功能越来越小。模式中更精确的放置。

问题之一是各层之间的对齐方式，如果做错了，会导致“边缘放置错误”（EPE）。在2015年，英特尔光刻专家Yan Borodovsky在会议记录中指出，这是光刻无法解决的问题。

他建议选择区域沉积是更好的选择，因此IBM研究人员开始对其进行审查。

这可能是EUV光刻技术的继任者，该技术是三星为其下一代7nm甚至5nm芯片准备的技术 。这不应该令我们感到惊讶，因为IBM早在2015年就成为世界上第一个在7纳米节点上制造芯片的公司。

IBM Almaden研究中心的研究员Rudy Wojtecki说，使用传统的制造方法，这将需要在基板上涂覆电阻，通过曝光步骤对电阻建模，显影图像，沉积无机膜。然后去除电阻以使其具有图案化的无机材料。

该小组正在使用三种主要的区域选择性沉积方法之一，称为“原子层沉积” ，重点是“自组装单分子层” （SAM）的使用。

我们都知道这听起来非常技术性，但是在我们的PC上使用7纳米处理器之后，这很可能是未来几年CPU制造的未来，相差不远。

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