英特尔正式宣布其10nm制造工艺

经过三代14 纳米处理器之后， 英特尔正式宣布了其新的10纳米工艺 ，这将使新一代微处理器变得更强大，更节能。

英特尔将制造世界上最好的10nm处理器

英特尔自豪地向全世界宣布其新的10nm制造工艺 ，该工艺将同等竞争者工艺的晶体管数量增加了一倍 ，从而再次证明了该半导体巨头处于技术的最前沿。 英特尔声称他们的工艺是真正的10nm工艺，比其主要竞争对手采用的工艺领先一代 。 后者是由于没有标准来衡量制造工艺的尺寸，因此并非所有的10 nm都一样，少得多。

市场上最好的处理器（2017）

许多处理器制造商使用nm作为营销工具，而不是在其制造过程中实际测量晶体管尺寸的方法，后者导致我们陷入台积电在生产过程中称为12nm工艺的情况。它以前的16nm工艺的升级版，实际上尺寸没有变化 。

英特尔10纳米工艺的最小栅极间距从70纳米降低到54纳米，最小金属间距从52纳米缩小到36纳米。 这些较小的尺寸可实现每平方毫米100.8兆晶体管的密度，这是英特尔以前的14纳米技术的2.7倍，并且预计将比其他10纳米工艺的约2倍高。

英特尔新的10纳米制程将提供比当前14纳米处理器高25％的性能，同时将功耗降低45％ 。 目前，英特尔的14nm ++工艺已经比其第一个14nm版本提供了26％的能效提高。 与10nm相比，将来我们将拥有10nm +的产品，它将使性能提高15％，同时将能耗降低30％。

资料来源：overclock3d