英特尔将在dg1：tsnc 6nm和3nm之后淘汰10nm

英特尔可能计划在下一代Xe的DG1之后降低10nm ，它将使用6nm和3nm的台积电。

英特尔似乎已经非常重视其高性能Intel Xe显卡 。 我们从台湾收到的信息将使您无言以对，因为我们可以看到与台积电的未来结盟。 并且是该芯片制造商在制造过程中提供最新技术。 下一代Intel Xe可能具有6nm和3nm节点 。

英特尔DG1，令人不安的GPU时代的开始

台湾 TechNews的同事传言使网络彻底倒挂。 英特尔将在今年通过其DG1 （一个具有10nm节点的组件）来确认其在GPU领域的地位。 功耗为25W，其性能 高于 NVIDIA MX 250。

该信息重点介绍了Intel Xe的开发 。 未来， 英特尔希望与台积电共同开发 下一代产品 ，并在2021年制造6nm工艺， 在2022年制造3nm节点。 英特尔 首席财务官 乔治·戴维斯（George Davis）已经公开表示，由于14 纳米制程能力不足，英特尔将在2020年增加产能。

对于英特尔来说，制造过程的问题已经走得很远 ，这是一个必须解决的问题。 各种消息都表明， 英特尔将在2021年 开始使用台积电的 6nm EUV节点生产其GPU和芯片组 。之所以台积电生产GPU的原因是因为它的制造更简单并且台积电专业化了。

DG1：发布和价格

根据英特尔官方数据 ， 英特尔Xe DG1体系结构将使用10nm，并将于2020年末上市 。 它将有96个EU （ 执行单元 ），总共768个内核 ， 基本频率为1 GHz ， turbo频率为1.5 GHz和1 MB。 最后，它将具有3 GB的视频内存 ，最大消耗为25W 。 至于性能，它位于GTX 1050和GTX 1650之间 。

DG1的定位将不会是高端 ，但未来将有两代DG2出现。 DG2估计将用于高端图形卡， 并将使用 台积电（TSMC）制造的7nm制造工艺 ，尽管其他人声称它将是6nm EUV 。 事实是， 英特尔正在考虑到2021年大规模生产7nm工艺，就像我们在Ponte Vecchio看到的数据中心一样。

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您认为这些Intel Xe会产生很大的影响吗？ 您认为英特尔在2021年将使用7nm还是6nm？

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