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英特尔详细介绍其10纳米制造工艺
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英特尔已经发布了两个有关其芯片设计和制造过程的视频，这些视频不仅让我们瞥见了该公司的生产过程，而且还向我们介绍了其麻烦的10纳米工艺 。
英特尔详细介绍了其10纳米制程的过程，这让它非常头痛
英特尔有关10纳米制程的问题已得到充分证明。 由于最近节点的批量生产延迟，该公司的长期工作计划遭受了几乎无法估量的损失，甚至最近还被引用为不希望与竞争对手达到同等水平（最有可能参考直到第三方冶炼厂台积电（TSMC）为止，直到2021年下半年发布其7nm工艺。
该视频涵盖了制造过程，尽管值得一看，但英特尔对晶体管技术的深入研究始于该视频的凌晨1:50。 该公司在这里详细介绍了FinFET晶体管技术，并描述了构建单个晶体管（超过1000个）所需的令人印象深刻的步骤数。 然而，这些光刻，雕刻，沉积和其他步骤适用于具有多个管芯的整个晶片，每个管芯承载数十亿个晶体管。 英特尔在视频中以3:10详细介绍了他们与主动门技术（COAG）的联系。
该视频还让我们瞥见了芯片上令人眼花and乱的互连网络。 这些细小的导线将难以置信的小型晶体管彼此连接，从而使通讯变得容易，并且它们堆叠在复杂的3D群集中。
但是，这些小导线可能仅仅是原子粗的，这可能导致引发故障的电迁移。 较小的晶体管需要较细的导线，但这也会导致更高的电阻，从而需要更多的电流来驱动信号，从而使事情复杂化。 为了应对这一挑战， 英特尔将铜换成了钴。
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该公司正在寻找不完全依赖过程领导力的新技术，例如EMIB和Foveros ，并计划采用基于小芯片的新架构。
我们希望看到更多有关其他现代工艺节点（尤其是台积电的 7nm节点）内部工作原理的详细视频。
在我们等待的同时，英特尔还发布了另一个芯片制作视频，该视频肯定更加基础，显然是针对不那么精明的用户的。
