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英特尔超越cmos，meso为设备的未来开辟了道路
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我们越来越接近芯片架构的物理限制，这对制造商开发克服这些限制的新方法变得越来越重要。 量子计算是朝着这一目标迈出的一步，英特尔希望在其MESO技术上迈出下一步。
MESO技术将克服CMOS的局限性
英特尔，加利福尼亚大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室 （LBNL）的研究人员在《自然》杂志上发表了一篇题为“可伸缩的节能磁电自旋轨道（MESO）逻辑”的文章 。 在其中，科学家们解释了与互补金属氧化物半导体（CMOS ）技术相比，基于MESO的设备有潜力将电压降低400％ ，并提高能源效率。与超低睡眠状态电源结合使用时可达到10-30倍。
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目前， 英特尔仍在致力于CMOS缩放，但研究人员发现MESO逻辑正在推动后CMOS时代的增长。 他们希望他们的技术将在未来十年出现。 英特尔已经使用UC Berkeley和LBNL的Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料开发了MESO设备的实验原型。 该技术在室温下使用量子材料来产生自旋轨道转导效应。
MESO是一种在室温下用量子材料制造的设备 ，这是一个可能的例子，有望触发工业，学术界和国家实验室的创新。 为了开发新型的计算设备和架构，许多关键的材料和技术尚未开发。
虽然实验性原型显示出令人鼓舞的结果，但该技术仍处于婴儿期。 需要做更多的研究，而实际的设备还有很长的路要走，至少要十年。
