英特尔展示其首款10 nm晶圆

毫无疑问， 英特尔始终处于硅处理技术的最前沿，并且一直是行业分类的最强有力的倡导者之一，既可以避免混淆，又可以透视其工艺领导地位。 这是因为并非所有基于硅的芯片制造商都使用相同的标准来测量其晶体管的尺寸，并扮演“肮脏”的角色，看起来比实际的要先进得多。

英特尔开始生产其10纳米Tri-Gate工艺

英特尔的领导地位扩展到了10毫米 ，他们打算将晶体管密度提高2.7倍 。 由于具有极高的冗余特性 ， 将在10 nm的FPGA领域开始生产最适合的FPGA领域的Intel芯片， 因为缺陷不会对受影响的芯片带来灾难性的问题，Intel可以简单地禁用具有缺陷的单个门阵列可以利用。 所有制造过程在开始时都是不成熟的，因此它们最初不适合制造成功率太低的非常复杂的单片芯片。

这就是英特尔将其“ Falcon Mesa” FPGA架构通过10nm工艺进行测试的主要原因。 这使该公司可以使用相对低风险的产品进一步微调10nm生产工艺 ，该产品对性能问题和缺陷不太敏感，同时针对其最关键的产品进行了优化。 ，主要是CPU 。 Mesa Falcon的“ FPGA”设计还将利用英特尔的EMIB封装解决方案 ，该芯片封装采用额外的硅基板完成，从而可以加快各个硅模块之间的连接和数据传输。 由于AMD使用其Vega图形卡，因此无需完整的硅中介层，这是一种更高效但成本更高的方法。

这意味着英特尔不需要以相同的低风险 ， 高性能10nm工艺来制造芯片的所有组件，因为他们可以将14nm甚至22nm的其他工艺节点用于非关键部件。耗能或不需要最先进的制造。

资料来源：techpowerup