英特尔计划到2029年构建1.4nm节点

英特尔制程技术的发展蓝图已经出现 （WikiChip报道），英特尔将在接下来的十年中每两年推出一种新制程，从而在2029年实现1.4纳米节点。此外，还将进行两项优化来自同一个节点，到2021年将达到10nm +++。

英特尔计划到2029年构建1.4nm节点

该路线图在正在进行的IEDM 2019大会上的ASML演示中显示，其历史可以追溯到9月的Intel演示。 它显示了2019年的10nm，2021年的7nm和2023年的5nm的发展和定义。 十月份，英特尔宣布打算恢复两到两年半的节奏，并宣布对5nm节点充满信心。

该路线图显示，英特尔即将生产3nm和2nm，目前正在研究1.4nm节点。 这是英特尔第一次透露它正在这些节点上工作。 所有节点之间的时间跨度大约为两年，到2025年将放置3nm。但是，由于计划在2021年第四季度发布7nm，因此未来十年的任何小延迟都会让3nm出现。因此，到2030年或以后，它还将拖曳1.4纳米。

该路线图没有透露有关它们将在技术层面上进行的更改的任何细节，除了说每个节点将是最佳的成本绩效路线并会引入新的功能。 对于7nm，这意味着插入EUV 。 预计到5nm时，英特尔将从目前的FinFET转移到堆叠在后续节点上的纳米线FinFET。 英特尔可能还打算使用下一代高NA 5纳米EUV光刻技术：英特尔的光刻主管最近发出了“呼吁采取行动，以保持高NA含量的EUV运行”根据 SemiEngineering的数据 ，它的2023年日历。

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最后，英特尔在今年的投资者会议上宣布，该公司将继续从14nm开始的在节点内引入工艺优化的实践（称为“ +”修订版）。

到目前为止，还没有制造商公开谈论正在开发的小于3 nm的节点，因此这些信息很有趣。 我们会及时通知您。

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