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英特尔将在2021年使用6nm tsmc节点并在2022年使用3nm节点
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至于半导体技术，英特尔的10nm已量产，但该公司还表示，其生产能力不会像22nm和14nm那样大，这可能是一个重要信号。 这就是英特尔考虑使用台积电并在未来几年使用其6nm和3nm节点的原因。
英特尔将把芯片外包给拥有6和3纳米节点的台积电
此前，业界曾多次报道英特尔也将芯片外包给台积电 。 最新消息称，在2021年为6nm节点之后，到2022年将扩展到3nm。
英特尔预计将在2021年大规模使用台积电的6纳米工艺，目前正在测试中。
如果公司真的打算扩大芯片外包，那么除了部分外包的芯片组之外，第一个应该是GPU，因为GPU比CPU更容易制造，而台积电在GPU的制造。
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仅英特尔的Xe架构就表明DG1是使用其自己的10nm工艺制造的。 它具有96个执行单元，总共768个内核，1 GHz的基本频率，1.5 GHz的加速频率和1 MB的高速缓存以及3GB的视频内存。
预计DG1的性能可与GTX 950相媲美，后者比GTX 1050差15％。这是一种低端图形卡，适用于高能效区域，尤其是GPU。笔记本电脑。
DG1之后，DG2将到达。 先前有报道称DG2将使用台积电的7nm工艺。 现在您可能最终会使用6nm。
这家颇受欢迎的半导体制造商还宣布，Ponte Vecchio数据中心图形卡将使用他们自己的7nm EUV工艺，我们不知道这个计划是保持不变还是更改为6nm节点。 我们会及时通知您。
