英特尔和微米在nand tlc上实现了高存储密度

英特尔将大力推动已经宣布的家用固态硬盘市场，该固态硬盘准备在2015年下半年推出其首款配备3D NAND内存的固态硬盘设备。

采用3D NAND的新设备是英特尔与美光科技公司结盟的结果，它们实现了一项技术，能够在单个MLC芯片中提供256Gb（32GB）的存储容量，使用以下芯片 ， 每个芯片的容量可以增加到48 GB TLC闪存。

三星也使用TLC技术，但存储容量远低于英特尔与美光联盟的存储容量，韩国人在MLC和TLC中的存储容量分别仅为86 Gb和128 Gb。

与当今现有设备相比，英特尔和美光公司实现的新数据存储密度可能会导致未来非常经济的SSD设备以及其他具有巨大存储容量的设备。

资料来源：dvhardware