Kioxia展示了Nand的潜在继承者

Kioxia ，以前称为东芝存储器 ，创建了3D NAND闪存的后继产品，与QLC的NAND闪存相比，它提供了更高的存储密度。

Kioxia设计了Twin BiCS Flash技术，NAND存储器密度

这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元和每个单元更多的存储空间，这可以显着提高每个单元的存储密度。

Kioxia宣布了世界上第一个称为“ 双BiCS闪存 ”的“三维半圆形分裂栅闪存单元结构”。 这与其他Kioxia产品BiCS5 Flash不同 。 BiCS5 Flash使用圆形电荷陷阱单元，而Twin BiCS Flash使用半圆形浮栅单元。 新结构扩大了单元的编程窗口，尽管与CT技术相比，单元在物理上更小。

目前，双BiCS闪存是通过QLC的NAND技术成功的最佳选择 ，尽管该芯片的未来实现方式仍然未知。 这款新芯片显着增加了闪存的存储量 ，这对制造商来说是一个大问题，尽管目前有三种解决方法。

一种选择是增加层数。 制造商最近批准了96层NAND闪存芯片，并获得了128层NAND闪存芯片。 增加NAND闪存技术密度的另一种方法是减小单元的尺寸，从而允许在单层中放置更多的单元。

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增加NAND存储器密度的最后一种方法是提高每个单元的总位，这是制造商最常使用的。 这种方法使我们能够获得SLC，MLC，TLC，而最新的方法是QL​​C NAND，与以前的技术相比，每单元的位数增加了一个。

Twin BiCS Flash是这项较新的技术，目前仍处于研发阶段 ，距离实施还差很多年。 尽管BiCS5的128层NAND闪存芯片计划于2020年上市，但制造商SK海力士和三星在2019年初能够使用4D 128层NAND芯片和V-NAND v6突破100层。

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