笔记本电脑
2020年3D Nand内存将达到120层
目录:
应用材料公司的Sean Kang在日本的国际内存研讨会（IMW）上谈到了下一代3D NAND闪存 。 该路线图表示，这种类型的内存中的层数应增加到140个以上，同时芯片应更薄。
3D NAND内存的进步将实现120TB SSD
在3D NAND存储器中，存储单元不在一个平面上，而是在彼此顶部的多个层上 。 以这种方式，可以显着增加每个芯片（阵列）的存储容量，而不必增加芯片面积或单元不必收缩。 大约五年前，第一个3D NAND出现了，三星的第一代V-NAND具有24层 。 在下一代中，使用了32层，然后是48层。 目前，大多数制造商已达到64层，SK海力士以72层领先。
我们建议阅读有关SATA，M.2 NVMe和PCIe（2018）当下最佳SSD的文章
今年的路线图讨论了90多个层，这意味着增加了40％以上 。 同时，存储堆栈的高度应该仅增加大约20％，从4.5μm增加到大约5.5。 这是因为， 同时，层的厚度从约60nm减小到约55nm 。 美光在2015年已经采用了对存储单元设计和CMOS下阵列（CUA）技术的改编，是这一代产品的主要功能。
Kang的路线图看到了超过120层的3D NAND下一步发展，这将在2020年之前完成 。 到2021年，预计将有140多个层，堆叠高度为8μm，为此必须使用新材料。 该路线图未涉及存储容量。
目前，制造商采用64层技术已达到每个矩阵512吉比特。 最初有96层将达到768千兆比特，最后有128层将达到1024千兆比特，因此大约1 TB是可能的 。 每单元四位QLC技术还可实现具有96层结构的太比特芯片。 三星希望通过第五代V-NAND实现这一目标，并在此基础上推出首批128TB SSD。
Techpowerup字体
