英特尔的内存内存已准备好量产

EETimes的 一份报告显示，英特尔的MRAM（磁阻随机存取存储器）已准备好进行大批量生产。 MRAM是一种非易失性存储技术 ，这意味着即使断电，它也可以保留信息，这比标准RAM更类似于存储设备。

MRAM有望取代DRAM和NAND闪存

MRAM存储器正在开发中，以替换将来的DRAM （RAM）存储器和NAND闪存存储器 。

MRAM有望更容易制造并提供卓越的性能。 与NAND闪存技术相比，事实证明MRAM能够实现1 ns的响应时间，优于目前公认的DRAM理论极限，并且写入速度更高（快数千倍）。 ，是此类存储器如此重要的原因。

它可以保留长达10年的信息，并且可以承受200度的高温

利用当前功能， MRAM可以在125摄氏度下保持10年的数据保留 ，并具有很高的抵抗力。 除了高电阻外，据报道，集成的22nm MRAM技术的比特率超过99.9％，这是相对较新技术的惊人成就。

确切地知道为什么英特尔要使用22nm工艺来制造这些内存，但我们可以断定，它不会使14nm工艺的生产饱和，这是其CPU处理器所使用的工艺。 他们也没有评论我们要等多久才能看到针对PC市场的这种记忆。

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