3D QLC内存令制造商头痛

3D QLC是最新的NAND存储器就绪技术 ，有望实现比3D TLC更高的密度，从而使每GB价格甚至更低。 但是，与所有基于晶圆的PC组件一样，性能是该过程中极为重要的部分。 只有在制造过程中允许一定百分比的晶片完全发挥功能并且没有损害其功能或性能的缺陷，才能实现成本降低。

3D QLC内存技术可提供更高容量，更低成本的SSD

目前， 3D QLC存储器的晶圆性能非常低（约50％或更少） ，使制造商感到头疼。

正如 DigiTimes 网站报道的那样， 3D TLC性能仅在今年年初才开始发挥作用，正当公司推出其首批3D QLC设计时。 是的，为了获得可观的晶圆产量，TLC花费的时间比预期要长，而且QLC花费的时间甚至更长：

众所周知，英特尔和美光等制造商在3D QLC上的性能不足50％ ，但似乎所有制造商都遇到了这个问题，而且我们谈论的制造商很少（三星电子，SK海力士，东芝/ Western Digital和Micron Technology / Intel）。

其结果将是，由于预计的产量无法满足需求， 价格可能会在2019年初上涨 ，并且3D TLC供应将不得不应对更高的需求，因为QLC的记忆将稀缺。

Informaticacero来源（图片）Techpowerup