一年后，英特尔的7纳米将相当于tsmc的5纳米
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英特尔首席执行官鲍勃·斯旺（Bob Swan）表示，他的7nm工艺有望与台积电的5nm工艺匹配。 他还指出，英特尔的5nm工艺有望与台积电的3nm工艺相匹配。
英特尔的7nm节点将于2021年到货
但是，Swan并未提及的是， 英特尔在制程技术方面已不再处于领先地位 ，与台积电（TSMC）的5nm相比，其7nm制程有望在2021年左右推出。它将在2020年下半年生产设备芯片。
英特尔宣布22nm Tri-gate（FinFET）工艺时，与台积电和AMD等其他竞争对手相比，领先一代 。 一方面，与采用28nm / 32nm工艺节点的其他工艺相比，它采用的是较小的22nm工艺。 其次，仅向FinFET转移便使其性能和效率得到了代代相传的提升。 多年来，英特尔在流程方面的领导地位无可争议。
一个例外是移动芯片，其22纳米FinFET Atom芯片几乎无法与最新的高端28纳米芯片匹敌，而且芯片成本更高。 这就是为什么英特尔最终试图将Atom设计许可给中国的无工厂半导体公司，从而以台积电的28nm工艺制造自己的更便宜的“ Atom”芯片。 完全无效的策略。
然后，英特尔切换到14nm。 该公司在使用Broadwell芯片方面遇到了一些延迟，这是第一批使用14nm工艺的芯片。 英特尔最终也很快用Skylake取代了Broadwell一代。 这使晶体管的密度增加了2.4倍。
但是， 英特尔并没有认真考虑这一课，而是尝试通过10nm工艺更加积极地将密度提高2.7倍 。 经过多年的拖延，该公司最近承认该目标对公司来说过于雄心勃勃。
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这就是为什么英特尔将其转换为7nm EUV时将密度提高到2.0倍的原因。 切换到极端紫外光刻（EUV）工艺已经足够困难。 这也是英特尔继三星和台积电之后的首次尝试实施EUV。
随着台积电的5nm节点于2020年中开始制造， 英特尔的首批7nm芯片将于2021年到货 。
