3D Nand芯片制造商加速过渡到96层

芯片制造商通过提高性能来加快向96层3D NAND模块的过渡。 该技术应在2020年实现集成。96层3D NAND可降低生产成本并提高每个封装的存储量 ，因此制造商有兴趣开始尽快为消费类产品批量生产。

下一步是96层3D NAND模块

预计到2019年，总产量的30％将为96层 ，到2020年它将超过64层。 当然，他们也正在研究128层NAND。

向96层NAND 3D处理技术的过渡将帮助供应商降低制造成本并提高产品竞争力。 使用96层NAND 3D工艺制造的芯片到2019年将占全球NAND闪存产量的30％以上。随着向96层NAND闪存技术过渡的加速，预计它将从64层升级到64层。根据上述消息来源，到2020年。

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NAND闪存市场今年已经超负荷。 为了更好地控制其库存水平，芯片制造商被迫减慢其产能扩张乃至生产速度。

美光公司已宣布计划将其NAND闪存的产量进一步削减10％，而SK Hynix计算出，今年生产的NAND晶圆总数将比2018年减少10％以上。据报道，三星电子正在短期内对其生产线进行调整，以应对日韩之间贸易争端的影响。

另外，据消息人士称， 许多NAND闪存芯片制造商已经交付了120/128层3D芯片样品 。 这对于查看更好，更快和更高容量的SSD至关重要。

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