制造商已经在计划3D制造120/128层nand

芯片制造商已经加快了各自的120层和128层3D NAND技术的开发，以提高成本竞争力，并准备在2020年实现这一飞跃。

120和128层3D NAND模块已经在生产中

消息人士称， 一些领先的NAND芯片制造商已交付了其128 层 芯片的样品，以 在2020年上半年实现量产 。 NAND闪存技术价格的持续下降，加上需求方面的不确定性不断增加，导致制造商出于成本原因加快了技术进步。

SK Hynix于3月开始测试其96层4D NAND闪存 ，东芝和Western Digital已经计划推出基于三级单元（ TLC）工艺技术构建的128层技术，以增加密度，避免相同的情况。当前QLC （四级单元）实现的时间性能问题。

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NAND闪存技术的市场价格下跌给芯片制造商带来了盈利问题。 行业领导者三星电子也不例外，因为该公司的NAND闪存技术业务利润大幅下降，几乎达到了收支平衡点。

自2018年底以来，三星和其他主要芯片制造商已开始减产，以稳定NAND闪存技术的价格为目标，但这种努力几乎没有奏效，因为64层3D NAND工艺已经是一项技术。消息人士称，该产品已经成熟，并且库存过多。

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