7 nm和5 nm的euv制造工艺比预期的要困难得多

硅芯片制造工艺的进步变得越来越复杂，这与英特尔在10纳米制程上遇到很大困难的英特尔可以看到的一样，这极大地延长了硅芯片的使用寿命。 14 nm。 据报道，其他冶炼厂，例如Globalfoundries和TSMC ，在基于EUV技术过渡到 7nm和5nm 工艺方面遇到的困难比预期的要大 。

7纳米和5纳米EUV工艺的问题超出预期

随着英特尔，Globalfoundries和台积电朝着使用250mm晶圆和EUV技术使用不到7nm的制造工艺发展，他们所面临的困难比预期的要多 。 EUV的7nm工艺良率尚未达到制造商的期望，随着测试生产中出现几种不同的异常情况，向5nm工艺过渡将进一步加重这种负担。 据说， 研究人员需要花费数天的时间扫描7nm和5nm芯片上的缺陷 。

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制造5nm芯片所需的大约15nm的关键尺寸中出现了各种打印问题 ，预计到2020年将实际生产。EUV机器制造商ASML正在准备新一代的EUV系统处理这些发现的打印缺陷，但预计这些系统要到2024年才可用 。

除上述所有因素外，还有另一个与基于EUV的制造过程相关的困难，即其背后的基本物理原理。 研究人员和工程师仍然不完全了解哪些相互作用是相关的，并且在用EUV照明雕刻这些极好的图案时会发生什么 。 因此，可以预料会出现一些无法预料的问题。

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