“ T射线”可以将ram记忆加速多达1000次

就像未来的基于石墨烯的芯片已经在设计中一样，现在是时候改进当今任何计算机中都可以找到的存储器了。 一组俄罗斯和欧洲科学家一直在研究一种称为“ T射线”（太赫兹辐射）的新技术，该技术可以将RAM速度提高多达1000倍。

“ T射线”（太赫兹辐射）可提高RAM存储器的速度

该技术已经过研究，并由科学杂志《自然光子学》发表。 太赫兹或“ T射线”辐射并不新鲜，类似的东西已经在机场扫描仪中使用，但是这次将其应用于存储单元以改变其功能。

科学家已经取得的成就是将太赫兹辐射施加到低矫顽力的铁磁元件上，因此他们能够更快地改变磁特性 。 应用于RAM时，它的工作速度（他们估计） 最高可以快1000倍。

这将是一个相对“便宜”的响应，以提高当今RAM的速度 ，而随着新版本 （DDR，DDR2 DDR3，DDR4等）的 改进，这些年来会有所改善 ， 但并非以卡的速度提高图形。

制造商如何利用RAM上的磁场来实施这项技术？ 今天是个谜