and Nand记忆：它是什么？它们的作用是什么？

如果您是专业评论的常规读者，那么“ NAND ”这个名字可能对您来说并不陌生。几乎总是在与存储相关的条目中；不用再赘述了，在闪存驱动器的最后一个条目中，我们提到了这个名称，它本身对我们所知不多。今天，我们想通过描述NAND存储器及其用途来阐明这个术语。

内容索引

逻辑练习

NAND逻辑门

从技术上讲， NAND是指逻辑门 ；特别是当其余输出为高（1）时产生低（0）的输出。此属性允许使用此类逻辑门的组合执行任何类型的基本二进制运算。与“或非”门共享的属性。但这不是我们在本文中所寻求的含义。

图片：维基共享资源；赛弗兹

当我们谈论NAND是指我们设备的存储单元时，我们所谈论的是NAND存储器 。 NAND（或NAND 闪存）存储器是一种非易失性存储器，不需要电源来存储数据。就像在NOR flash中一样，它之所以得名，是因为其晶体管的分配方式让人想起与其共享名称的逻辑门。

一种适用于各种情况的记忆

NAND存储器中存储的数据存储在不同的单元中，并用电荷表示。这些单元是通过控制门或浮点门制成的，并且可以在位中存储不同量的信息。根据此空间以及这些单元支持的读/写周期数，我们可以对不同类型的NAND存储器进行分类：

SLC （单级单元），在每个单元中存储一位。因此，它们具有最高的循环数和最高的速度，但是生产起来也非常昂贵。它通常具有工业应用。 MLC （多层单元），在每个单元中存储两位。因此，这种类型的内存支持的读写周期是SLC的两倍，但它们保持了速度并且生产成本较低。它们不仅用于工业环境，而且还用于消费电子产品。 TLC （三层单元），它们在每个单元中存储三个位。由于生产成本低，在国内市场上很常见。它们的耐用性比MLC或SLC差，速度也较慢。 QLC （四级单元），每个单元最多存储四位。它们提供最低的速度，耐用性和最低的生产成本。

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垂直NAND和3D-NAND

到目前为止，NAND的概念和类型大部分来自这种技术的概念。几年前，由于其DIE的水平扩展，生产容量，耐用性和速度良好的NAND存储器存储单元非常昂贵。目前，这种扩展是垂直进行的。

由于这种方法，可以高效地将诸如MLC或TLC（生产成本相对较低，但具有良好的速度和耐用性）的电池有效地分组，从而在不过度降低速度或耐用性的情况下设法生产出大容量的存储单元。

三星是最早广泛使用该技术的公司之一（以VNAND命名），但其他行业巨头如美光或英特尔（3D Xpoint）也开发了自己的版本。

NAND存储器的各种应用

NAND 闪存由于其高效和高速度而在我们环境中的所有类型的存储设备中都可以找到。这就是为什么我们可以在家庭，家庭和商业环境中找到它的原因。

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实际上，市场上每个机械存储或光驱之外的家用存储设备都使用这种类型的内存。范围从智能手机到我们的SSD。

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不管怎样，我们希望有关NAND存储器及其用途的文章有助于您更好地理解这项对我们每天使用的设备都如此坚持的技术。

NAND GateFlash存储器源（演示文稿）