美光开始生产128层3d nd'rg'模块

美光科技利用其新的RG （置换门） 架构制造了其第一批第四代3D NAND存储模块 。 该录像带证实该公司有望在2020年日历上生产商用的第四代3D NAND存储器，但美光科技告诫说，新架构使用的存储器将仅用于某些应用，因此，明年3D NAND成本将降至最低。

美光已经生产具有RG架构的128层3D NAND模块

美光的第四代3D NAND最多使用128个有源层。 新型3D NAND存储器用替代门技术代替了浮栅技术（英特尔和美光公司已经使用了多年），以试图减小阵列的尺寸和成本，同时改进性能和轻松过渡到下一代节点。 该技术由美光独家开发，没有英特尔的任何投入，因此它很可能针对美光希望针对的应用程序量身定制（可能具有较高的ASP，例如移动设备，消费类产品等）。

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美光没有计划将其所有产品线都转移到其最初的RG处理技术中，因此明年公司范围的每位成本不会大幅下降。 尽管如此， 该公司承诺在其随后的RG节点已广泛部署到其整个生产线之后，将在2021财年 （从2020年9月下旬开始） 大幅降低成本 。

美光目前正在增加96层3D NAND的生产，明年将在其大部分产品线中使用。 因此，至少一年内128层3D NAND不会产生太大影响。 我们会及时通知您。

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