笔记本电脑
美光确认在未来的固态硬盘中使用nand qlc内存
目录:
首先是SLC，然后是MLC，然后是TLC，现在是QLC，所有这些都是用于制造SSD磁盘的不同NAND存储器技术的名称。 区别在于每个存储单元存储的位数分别为1, 2, 3和4。 通过增加每个单元存储的位数，可以实现更高的存储密度，因此可以用更小的芯片来制造相同容量的SSD，从而使其更便宜。 美光 公司是最后一个确认使用QLC存储器的公司 。
美光将使用QLC存储器
QLC存储器存在一些问题 ，因为它们需要比TLC更高的工作电压，并且由于连续的写和擦除操作 ， 这会导致单元磨损更快 ，这一问题在TLC磁盘中已经非常明显而且在基于存储器的QLC中，情况将更加如此，这是不可避免的。
我们建议您阅读有关TLC与MLC内存的SSD磁盘上的文章
补偿这种增加的磨损的一种方法是使用具有更大容量磁盘的更高级的控制器 ，因为具有更多的单元数会减少每个单元中的重写次数。 东芝去年声称其QLC存储器支持1, 000个写周期 。
这些新的基于Micron NAND QLC的光盘的功能尚未发布任何细节。 这些新存储器的存储密度比TLC存储器高33％，因此可以肯定地表明我们可以预期容量的增加。
