美光科技与inn谈论与nand的决裂

美光谈到与英特尔分手的原因是关于NAND存储器开发方面的合作 。 去年1月，英特尔和美光宣布，他们在NAND存储器开发方面的联盟即将结束，两家公司都计划继续独立发展其NAND技术。

美光将押宝Charge-Trap技术制造其NAND芯片

到目前为止，这种分裂背后的原因还不得而知，尽管一切都表明英特尔和美光希望将其NAND技术带入不同的方向。 美光公司和英特尔公司采用了浮栅NAND技术 ，这是一种生产技术，它们比Charge-Trap模型更先进，几乎所有其他制造商（例如三星，SK海力士，西部数据和东芝）都在使用 。 展望第四代，美光科技计划改用Charge-Trap，让英特尔成为Floating Gate技术的唯一支持者。

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直到现在，Micron仍对NAND 3D Charg-Trap存储器的寿命持怀疑态度 ，他推测在断电六个月后数据可能会丢失。 因此，美光科技公司（Micron）不相信使用Charge-Trap开发的NAND可用作长期非易失性存储介质。 当前，大多数制造商使用Charge-Trap时不会出现数据丢失问题的迹象，因此Micron决定采用迄今已被拒绝的这项技术 。

尽管存在这种分歧， 两家公司仍将继续致力于XPoint存储器的开发 ，并计划继续将该技术开发为非易失性存储介质，并在某些应用中替代DRAM。

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