美光开始大规模生产12GB lpddr4x DRAM芯片

美光公司本周宣布，已经开始使用其第二代10nm制程技术批量生产其首批LPDDR4X存储设备 。 新存储器提供的标准数据传输速率为每引脚4266 Gbps，并且比以前的LPDDR4芯片消耗更少的功率。

美光开始生产12Gb LPDDR4X DRAM芯片，比联发科便宜

美光的LPDDR4X芯片采用该公司的1Y-nm技术制造， 容量为12 Gb。 这是因为它们具有较低的激励器输出电压（VDDQ I / O），LPDDR4X标准将其降低了45％，从1.1 V降至0.6V。

美光的12Gb（1.5GB）LPDDR4X器件的容量比竞争对手的16Gb（2GB）LPDDR4X器件略小，但制造成本也较低 。 因此，美光科技能够以比其竞争对手低的成本提供容量为48 Gb（6 GB）和带宽为34.1 GB / s的64位LPDDR4X-4266封装。

12GB LPDDR4X DRAM是美光科技使用该公司的第二代10nm工艺技术制造的第一款产品 ，因此，美光科技有望推出更多采用该10项技术制造的DRAM。纳米 这意味着更少的能量消耗和更高的频率。

像其他DRAM制造商一样，美光通常不会在第一批产品出厂前就做广告。 因此，至少一个Micron客户可能已经使用这种类型的存储器接收了他们的设备。

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