Micron和cadence更新ddr5状态，性能比ddr4高36％

在年初， Cadence 和美光举行了下一代DDR5内存的首次公开演示。 在本月初的台积电活动中，两家公司提供了有关新内存技术发展的一些最新信息。

美光与Cadence讨论DDR5内存的发展

DDR5 SDRAM的主要功能是芯片的容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗 。 DDR5有望将I / O速率从4266提高到6400 MT / s，电源电压降为1.1 V，允许的抖动范围为3％ 。 还希望每个模块使用两个独立的32/40位通道（不带/或带ECC）。 此外， DDR5将提高命令总线效率，更好的升级方案以及更大的存储库池，以提高性能。 Cadence继续说，与DDR4相比，即使在3200 MT / s的速度下 ， DDR5的增强功能将允许其实际带宽比DDR4高36％ ，而一旦达到4800 MT / s，实际带宽将提高87％。与DDR4-3200相比。 DDR5的另一个最重要的特性是单芯片的密度超过16 Gb。

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领先的DRAM制造商已经拥有容量为16Gb的单片DDR4芯片，但是由于物理定律，这些设备无法提供极限时钟。 因此，像Micron这样的公司有很多工作要做，以期在DDR5时代融合高DRAM密度和高性能。 特别是，一旦用于DRAM的生产技术达到10-12 nm ， 美光就会关注可变的保留时间和其他原子级事件 。 简而言之，虽然DDR5标准可以适应密度和婚礼性能，但DRAM制造商仍有许多不可思议的事情。

美光科技预计将在2019年底开始使用其“低于18纳米”制造工艺生产16Gb芯片 ，尽管这并不一定意味着具有这种内存的实际应用将在明年年底前上市。 Cadence已经使用台积电的N7（7nm DUV）和N7 +（7nm DUV + EUV）工艺技术实现了DDR5 IP（控制器+ PHY）。

鉴于DDR5的主要优势，Cadence预测服务器将成为使用新型DRAM的首批应用程序就不足为奇了。 Cadence相信使用N7 +工艺的客户SoC将支持它，这实质上意味着这些芯片应在2020年投放市场。

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