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Nvidia GTX 1180将采用12nm finfet工艺制造
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下一代的,期待已久的下一代NVIDIA GeForce GTX 1180图形卡已添加到古老的 TechPowerUp 数据库中,以确认一些规格。 输入的数据来自工程样本,我们可以看到诸如时钟速度的提高之类的东西,因此我们将进入其生产的最后阶段。 有传言称它可以在Computex 2018上展出。
NVIDIA GTX 1180将在Computex 2018上展出
输入的数据与泄漏的数据基本相同。 NVIDIA GTX 1180图形卡将使用台积电的12nm FinFET工艺制造 ,这将显着提高能效。 它将有3584个CUDA核心,分为28个SM,64个ROP和224个TMU。 根据同一条目,所讨论的内存将是GDDR6变体,具有高达16 GB的DRAM内存。
内存时钟速度有效为12 GHz ,比Pascal领先一步。 GPU核心时钟列出为1405 MHz ,在Turbo中可以达到1582 MHz 。 像素速率为101.2 GPixels / s ,纹理速率为354.4 GTexeles / s 。 最大浮点性能将约为13 TeraFlops 。
TDP的功率为200W,可以通过1×6引脚和1×8引脚配置供电。
图灵本质上是减少和优化Volta体系结构的过程,并将为下一代图形卡带来显着的性能和能效。
Youtube资料来源:Wccftech点评:NVIDIA GTX Titan和SLI GTX Titan
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