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Rambus谈论DDR5内存的特性
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几天前，我们收到了新的高性能堆栈存储器技术HBM3的首个详细信息，现在为您带来了新的DDR5的详细信息，它将在未来几年内为新一代处理器提供。
DDR5在1.2V电压下将达到4800 MHz
RAMBUS发布了未来DDR5存储器的第一个特征，该特征已经处于相当先进的开发阶段，这些新存储器的基本频率约为4800 MHz，因此与当前DDR4相比，它们将是一个很好的提升，可以说，最慢的DDR5大约和最快的DDR4一样快。
随着时间的流逝，这些新的DDR5将会受益于所有世代 ， 其上限可能接近6400 MHz ，这意味着最大带宽为51.2 GB / s，是当前DDR4技术的25.6 GB / s的两倍。
为了使所有这些成为可能，为提高能效做出了坚定的承诺 ， DDR5将能够以仅1.2V的电压达到4800 MHz ，与当前DDR4需要达到的1.5V相比，这是一个重要的改进最后，我们强调每个模块的最大容量将增加到128 GB，因此我们仅使用四个模块就可以看到512 GB的配置。
第一批DDR5存储器将在2019年以10 nm的制造工艺到达市场，然后迁移到效率最高的7 nm。
