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三星将放弃20nm的3nm finfet技术
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在2018年三星代工论坛活动中 ，这家韩国巨头透露了针对高性能计算和连接设备的制程技术的一系列新改进。 该公司将放弃3nm的FinFET技术。
三星将用3nm的新晶体管代替FinFET，所有细节
三星 的 新路线图 着重于为客户提供针对各种行业的设备的更节能的系统 。 代工厂执行副总裁兼销售和市场总监Charlie Bae表示：“朝着更智能，更互联的世界发展的趋势使该行业对硅供应商的要求越来越高。”
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三星的下一个工艺技术是基于EUV光刻的Low Power Plus 7nm ， 它将在今年下半年进入批量生产阶段 ，并将在2019 年上半年扩大。下一步将是Low工艺。早期5nm供电 ，将把7nm的能效提高到一个新水平。 这些工艺仍将基于FinFET技术，而下一工艺将采用4nm工艺。
FinFET技术将转而采用3nm全能栅极早期/增强工艺 ，该工艺将基于一种新型晶体管，该晶体管可以解决FinFET所存在的物理缩放问题 。 距离该制造工艺达到7纳米还有很长的路要走， 最初的估计是2022年 ，尽管最正常的情况是会有一些延迟。
我们越来越接近估计为1nm的硅极限，这使得采用新制造工艺的难度越来越大，而且差距也越来越小。
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