三星宣布3nm mbcfet工艺，5nm将于2020年到货

在移动SoC市场中，TSMC在引入新的制造工艺节点方面发展迅速。 今天，韩国科技巨头三星宣布了各种工艺节点的计划。 其中包括5nm FinFET和3nm GAAFET ， 三星已将其注册为MBCFET （多桥沟道FET）。

三星宣布3nm MBCFET工艺

今天，在圣塔克拉拉的三星铸造论坛上 ，该公司宣布了其下一代半导体制造工艺的计划。 重大的宣布是开发三星公司称为3GAE的3nm GAA。 三星已确认已于上个月发布了该节点的设计套件。

三星与IBM合作开发了GAAFET （ 全能门） 工艺节点 ，但今天该公司宣布了对先前工艺的改进。 据该公司称，这被称为MBCFET，通过用纳米级代替全能门纳米线，它允许每个电池更高的电流。 更换后可增加驾驶面积，并允许增加更多的车门而不会增加侧向占地面积。 非常技术性的数据，但其结果应大大改善FinFET的开发。

三星于5月开发的5nm FinFET工艺的产品设计预计于今年下半年完成，并于2020年上半年投入量产。

三星计划在今年下半年开始批量生产6nm工艺设备，并完成4nm工艺的开发。 三星于5月开发的5nm FinFET工艺的产品设计预计于今年下半年完成，并于2020年上半年投入量产。

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