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三星宣布首款10 nm的8 gp lpddr5存储器
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三星今天宣布已成功开发出业界首款8 Gb容量的10纳米LPDDR5 DRAM 。 自2014年推出首款8Gb LPDDR4芯片以来，经过四年的努力，这项成就才得以实现。
三星已经拥有10纳米制程的8 Gb LPDDR5内存
三星已经在全速开展工作，尽快开始批量生产其LPDDR5存储技术 ，以用于具有5G和人工智能的下一个移动应用中。 这款8Gb LPDDR5芯片的数据传输速率高达6, 400 MB / s ，比当前的4266 Mb / s LPDDR4X芯片快1.5倍。 如此高的速度将使您能够在一秒钟内发送51.2 GB的数据或14个3.7 GB的全高清视频文件。
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10nm LPDDR5 DRAM将提供两种带宽： 工作电压为1.1v的6, 400 Mb / s和1.05 V的5, 500 Mb / s ，这使其成为智能手机和汽车系统中用途最广泛的移动存储解决方案。下一代。 通过各种体系结构改进（例如将存储体的数量从8个增加到16个），可以在性能上取得进步，从而在降低功耗的同时实现更高的速度 。 新型LPDDR5芯片还利用了高度先进的，速度优化的电路架构，可以验证并保证性能。
凭借其低功耗特性，DRAM LPDDR5存储器可将能耗降低多达30％，从而最大程度地提高移动设备的性能并延长设备的电池寿命 。
三星计划利用其在韩国平泽市最新生产线中的先进制造基础设施，根据全球客户的需求开始量产其下一代DRD系列LPDDR5，DDR5和GDDR6 。
