三星宣布新记忆v

SSD存储技术不断进步，并在创新方面处于领先地位。三星宣布推出第五代V-NAND ，该产品将通过较少的其他设计更改将层数增加到96个 。 第五代将包括三星的首个QLC NAND闪存（每个单元四位），每个管芯的容量为1TB（128 GB）。

96层V-NAND存储器：更多的存储，耐用性和更少的消耗

去年， 三星宣布了其具有64层设计的第四代3D NAND。 第四代V-NAND已投入生产，并将在未来几个月内用于许多产品。 大多数产品将使用256GB或512GB TLC阵列。 与48层第三代V-NAND相比，64层V-NAND提供相同的读取性能，但写入性能提高约11％。

功耗得到了“显着”的改善，读操作所需的电流减少了12％，编程操作所需的电流减少了25％。 三星声称，其采用TLC配置的64层V-NAND可以持续7, 000至20, 000个编程/擦除周期，因此有了这种新的96层存储器，单元的使用寿命将更长。

三星宣布的基于先前V-NAND技术的SSD包括2.5英寸128TB基于QLC的SAS SSD。 对于该单元，三星将在每个封装中堆叠32个矩阵，每个BGA设备上总计4TB。

这是在不久的将来开始淘汰磁存储驱动器的新步骤。

资料来源：anandtech