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三星开始采样32GB DDR4内存芯片
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三星开始测试32 Gbit芯片，即每个IC 4 GB。 目前，有一种速度为2666 MHz且具有此容量的A-die DDR4芯片的存在。 该公司的其他类型的DDR4芯片可能会在不久的将来推出。
三星开始测试32 Gbit芯片，即每个IC 4 GB
三星去年已经宣布它将开始第二代10纳米DDR4存储器的批量生产，而提高密度将具有非常有趣的优势。
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三星的32Gb A-die DDR4-2666芯片由两个16Gb DDR4阵列组成，这些阵列使用该公司的10nm工艺技术堆叠和生产 。 三星提供了两种版本的32Gb DDR4封装：一种具有2G x8配置，另一种具有1G x16配置。 存储控制器将第一个视为两个存储设备，而将第二个视为DRAM设备。 DDP（双芯片封装）采用标准FBGA格式，并使用行业标准的1.2V电压。
JEDEC的DDR4规范仅涵盖4Gb，8Gb和16Gb存储设备，因此DRAM制造商必须使用先进的封装技术来构建用于服务器或工作站的大容量存储模块的芯片 。 。 DDP是您从未见过的东西，但是DDR4-2666 32Gb DDP现在是三星独有的。
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