三星开始生产其新的Emram存储器

三星的eMRAM内存有望彻底改变行业

MRAM存储器已经开发了很多年，它是非易失性磁性RAM ，这意味着它没有电源时不会像今天的普通RAM那样丢失数据。

三星基于28FDS的eMRAM解决方案以更低的成本提供了前所未有的性能和速度优势。 由于eMRAM在写入数据之前不需要明确的周期，因此其写入速度比eFlash快大约一千倍。此外，eMRAM使用的电压低于闪存，并且在关闭模式下不消耗电能，从而提高了能效。

与当今使用的RAM和Flash存储器等相比，其优点是革命性的，具有1ns的延迟 ，更高的速度和更大的电阻。 eMRAM存储器旨在替代当前的RAM和闪存NAND存储器，尽管为此我们需要稍等片刻。

据说三星制造的首批模块的容量将非常有限。这家韩国公司不想透露太多他们正在制造的模块的详细信息，而是打算在2019年底之前开始测试1GB模块。后来，三星还计划使用其18FDS工艺以及节点来制造eMRAM。基于更先进的FinFET。

这可能是计算机存储新时代的诞生。我们将关注它的发展。

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