三星创建了首个3nm Gaafet节点

三星宣布已在3nm GAAFET中制造出第一批原型

三星正在投资各种新技术，其性能优于大多数现代晶体管的FinFET结构 ，朝着名为GAAFET的新设计迈进。本周，三星确认已使用计划中的3nm GAAFET节点生产了第一批原型 ，这是朝最终批量生产迈出的重要一步。

与三星的下一个5纳米节点相比，3纳米GAAFET旨在提供更高水平的性能 ，更好的密度并显着降低功耗。三星估计，其3nm GAAFET节点将比其5nm节点的硅密度提高35％，功耗降低50％。此外，估计仅减少节点即可将性能提高多达35％。

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三星最初宣布其3nm GAAFET节点时表示，它计划在2021年开始批量生产 ，这是实现这种先进节点的宏伟目标。如果成功，三星将有机会从台积电手中夺取市场份额，前提是三星的技术可能提供比台积电产品更好的性能或密度。

三星的GAAFET技术是FinFET结构的演进，目前大多数现代芯片都使用这种结构 。这为用户提供了围绕晶体管通道的四门结构。这就是GAAFET的全能门名称的原因，因为四门架构覆盖了运河的所有侧面并减少了能量泄漏。这允许使用更高百分比的晶体管功率，从而提高了功率效率和性能。

译成西班牙文，这意味着3nm处理器和图形将在性能和功耗上取得重大改进。我们会及时通知您。

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