笔记本电脑
三星谈论其技术v
目录:
最近，三星SSD论坛活动在日本举行，韩国公司在其中披露了有关其下一代基于QLC技术的96层V-NAND存储单元的首个细节。
三星给出了其96层V-NAND QLC存储器的首个细节
在V-NAND TLC上使用V-NAND QLC内存可提供33％的更高存储密度，因此每GB的存储成本更低，如果要完全替换SSD，这非常重要机械硬盘。 三星首款采用V-NAND QLC内存的固态硬盘将成为大容量型号，适合那些需要存储大量数据且可能对最大性能不感兴趣的客户。这种类型的收益将落后于基于TLC的收益。
我们建议您阅读有关SATA，M.2 NVMe和PCIe的最佳SSD的文章。
三星已经开放研究基于V-NAND QLC内存的超大容量U.2 SSD驱动器已有一年多了 。 这些驱动器将用于WORM （一次写入，多次读取）应用程序，这些应用程序并未针对快速写入进行优化 ，但明显优于基于HDD的阵列。 三星期望其首款配备QLC的NVMe驱动器可提供高达2500 MB / s的顺序读取速度，以及高达160K的随机读取IOPS。
三星基于V-NAND QLC技术的另一系列产品将是容量超过1TB的消费类固态硬盘 。 这些驱动器将使用SATA接口 ，并提供约520 MB / s的顺序读取和写入吞吐量。 三星不希望QLC V-NAND很快就取代TLC V-NAND作为主要类型的闪存 。 NAND QLC需要更昂贵的控制器以及更高的处理能力，以确保足够的抵抗力。
