三星开始量产其第五代vnand内存

全球先进存储技术的领导者三星电子 今天宣布开始大规模生产其新型第五代VNAND存储芯片 ，它将提供当今最快的数据传输速率。

三星第五代VNAND已量产

三星这些新的第五代VNAND存储芯片基于DDR 4.0接口技术 ，该技术使数据传输速度达到每秒1.4吉比特 ，比其技术提高了40％。第四代64层。 三星的第五代VNAND 以金字塔结构堆叠了不少于90层内存，并在金字塔结构中垂直钻出了微观通道孔。 这些微小的通道孔仅几百纳米（nm）宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元可存储三位数据。

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由于工作电压从1.8伏降低到1.2伏 ，三星新型第五代VNAND的能效仍然与64层芯片相当 。 这项新的内存技术还提供了迄今为止最快的数据写入速度（500微秒）， 比上一代的写入速度提高了30％。 相应地，读取信号的响应时间已显着减少，最多可缩短50微秒。

三星将继续领先于超级计算，商业服务器和最新的移动应用等关键领域的高密度存储器运动， 从而迅速加快其第五代VNAND的批量生产，以满足广泛的市场需求 。

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