三星开始量产其记忆v

全球存储器芯片制造的领导者三星宣布已开始批量生产其新的64层V-NAND技术，该技术的密度达到每个芯片256 Gb，从而使新一代设备具有更高的存储容量。存储容量。

三星的新型64层V-NAND存储器

三星已经在1月开始制造其新的64层 256Gb V-NAND芯片 ，此后一直在努力为用户提供具有大存储容量的新一代设备，其中包括智能手机，SSD和UFS存储器。集成。 新的步骤是开始大规模生产这种新的内存技术，该技术将覆盖其每月产量的50％，直到年底。

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三星的新型64层V-NAND存储器的传输速率为1 Gbps ，是市场上最快的。 其最出色的功能延续了仅500微秒的页面编程时间，在这方面也是市场上最快的，并且比该公司以前的48层内存快1.5倍。 与之前的48层内存相比，这些性能指标可将生产率提高30％ 。

我们继续提高能效，也就是说，新芯片需要2.5V的输入电压，比以前的48层内存少30％，因此能效更高，移动设备的电池消耗也更高集成将更少。 新存储芯片的可靠性也提高了20％ 。 所有这些改进都是通过对韩国公司使用的先进V-NAND制造工艺进行几处更改而实现的。

所有这些都是经过15年研究的结果， 并获得了V-NAND存储器结构方面的500多项专利 ，以实现最佳设计。 三星为继续改善其存储技术奠定了基础， 下一步是容量为1 Tb的90层芯片 。

资料来源：三星