三星推出新的SSD V盘

三星宣布已开始使用其第六代V-NAND内存模块生产新的250GB SSD，以提供更高性能和更低功耗的全新优化设计。

三星推出新的V-NAND SSD

虽然250GB SATA SSD在当今的标准下并不令人印象深刻，但是三星的第六代V-NAND为延迟不到450微秒 ，读数小于45微秒的未来新型三星SSD打开了大门。 这表示等待时间减少了10％，从而提高了响应速度和性能。 此外，能耗降低了15％。

利用该公司的新型136层V-NAND，三星可提供比其以前的96层设计多40％的单元，从而提高了单位面积矩阵的存储容量。

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在比较256 Gb芯片时，三星的新型NAND需要的通道孔比以前少得多，从9.3亿减少到6.7亿，从而减少了矩阵尺寸和制造复杂性。 三星声称这可以使生产效率提高20％。 每个矩阵生产率的提高将使三星能够降低其生产成本 ，鉴于NAND价格下降，这对于该公司来说是个好消息。

三星计划在今年晚些时候使用其第六代技术创建更大的512Gb V-NAND TLC ，这将有助于创建更大的SSD和更高性能的固态存储设备。

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