三星展示其256GB边缘存储
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三星已经展示了其首款用于即将推出的服务器的256GB内存模块 。 新的RDIMM注册模块基于今年早些时候推出的三星16Gb DDR4存储设备，并利用了该公司的3DS（三维堆叠）封装。
新的256GB Samsung RDIMM内存模块
与目前使用的两个128GB LRDIMM相比，新模块将提供更高的性能和更低的功耗 。 三星的带ECC的256GB DDR4寄存器DIMM承载36个内存包，每个内存包具有8GB（64Gbit）容量，以及IDT的4RCD0229K注册芯片，用于存储地址和命令信号并增加数量内存通道支持的范围。 这些封装基于四个16Gb单管芯组件，这些组件通过硅通路（TSV ） 互连 。 在结构上，由于具有两个物理范围和四个逻辑范围，因此256GB模块的等级为八进制。
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有趣的是，这些新的DIMM是已注册DIMM（RDIMM），而不是低负载DIMM（LRDIMM） 。 高容量配置通常需要LRDIMM，这些类型的DIMM依赖于额外的缓冲区，与RDIMM相比，它们会降低功耗和延迟。
即将面世的Intel Xeon Cascade Lake处理器似乎在所有12个DIMM插槽中最多支持3.84TB内存，因此，通过安装12个256GB RDIMM，双插槽服务器可以获取6TB内存 。 AMD现有的EPYC处理器正式支持多达128GB的LRDIMM内存模块和多达2TB的总内存，这是合乎逻辑的，因为AMD尚未验证256GB的RDIMM。 如果AMD发现256GB RDIMM适用于您的平台，则可以通过调整现有EPYC处理器的微代码，或简单地使用即将上市的7nm EPYC“罗马” CPU对其进行验证来支持它们。
三星并未透露其256GB RDIMM的确切规格 ，但预计其频率不会明显高于当前常见的DDR4-2400和DDR4-2667速度。
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