新闻
三星计划在2021年量产3nm gaafet芯片
目录:
去年年中，有消息称三星计划在2022年生产3nm芯片，但是随着一种名为GAAFET的新型晶体管技术的到来，似乎要早一年了。
三星将于2021年开始生产3nm GAAFET芯片
三星已经确认计划在2021年开始批量生产3nm栅极全能场效应晶体管（ GAAFET ），该晶体管的设计旨在替代当今众所周知的FinFET 。
GAAFET名称描述了您需要了解的有关技术的一切。 通过在通道的四周提供四个门来提供全面覆盖，可以克服FinFET的性能和规模限制 。 相比之下，FinFET覆盖了扇形通道的三个侧面。 确实，GAAFET将三维晶体管的思想带到了新的高度。
这项新技术还将允许它在比现在更低的电压下运行 ，尽管他们尚未详细说明能源性能的改善将如何转化。
三星已经开发GAAFET技术已有几年了 ，该公司先前的估计是最早在2020年推出4nm GAAFET技术。 三星还希望它成为第一家推出7nm EUV工艺节点的公司。 ，并计划于今年下半年开始生产。 其竞争对手台积电还计划通过其7nm +节点实施EUV技术。
如果三星的估计是正确的，则三星有机会在未来几年内成为全球领先的硅制造商，尽管这并不意味着台积电无法抗衡。
