三星通过euv启动其7 nm制造工艺

三星已经能够使用EUV技术制造7nm芯片

这家韩国巨头还宣布，将基于其16Gbit DRAM芯片对256GB RDIMM进行采样 ， 并计划开发具有嵌入式Xilinx FPGA的固态驱动器 。但是7nm的消息却是本次活动的重头戏，这是一个里程碑，部分原因是其内部开发的EUV掩模检测系统。

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与目前的10nm节点相比，7LPP工艺将使尺寸减小多达40％，速度提高20％，功耗降低50％ 。据说这一过程吸引了包括网络巨头，网络公司和高通等移动提供商在内的客户。但是，三星要等到明年年初才能宣布客户。

三星代工市场行销总监鲍勃·斯蒂尔（Bob Stear）表示， 从今年初开始，EUV系统一直为韩国华城的S3工厂的250W光源提供持续支持 。功率水平使性能达到每天1, 500个晶圆。 从那时起，EUV系统已达到280 W的峰值，三星的目标是300W。

EUV去除了传统氟化氩系统所需的五分之一的口罩，从而提高了产量。 但是，该节点在该行的前端的基础层中仍然需要一些多个模式。毫无疑问，三星将使台积电变得非常困难。

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