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三星推出新的高带宽HBM2E内存
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三星刚刚在NVIDIA的GTC 2019活动中推出了其新的高带宽内存HBM2E （Flashbolt）。 新的内存旨在为下一代超级计算机，图形系统和人工智能（AI）提供最大的DRAM性能。
HBM2E提供的速度比上一代HBM2高出33％
名为Flashbolt的新解决方案是该行业中首个HBM2E存储器，每个引脚的数据传输速率为每秒3.2吉比特 （Gbps），这比上一代HBM2快33％ 。 Flashbolt每个矩阵的密度为16Gb，是前一代的两倍。 通过这些增强功能，单个Samsung HBM2E软件包将提供每秒410 GB的带宽（GBps）和16 GB的内存。
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这代表了一项突破，可以进一步提高使用它的那些显卡的性能。 尚不清楚新一代AMD Navi是否使用这种类型的内存，或者是否押注于GDDR6内存。 回想一下AMD最新的显卡Radeon VII使用16GB的HBM2内存。
“ Flashbolt的行业领先性能将为下一代数据中心，人工智能，机器学习和图形应用提供改进的解决方案，” 存储器产品计划和应用工程团队高级副总裁Jinman Han说道。三星 “我们将继续扩展我们的'高级'DRAM产品，并升级我们的高性能，大容量，低功耗存储器领域，以满足市场需求 。 ”
