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三星已经批量生产第二代10纳米lpddr4x存储器
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三星电子是全球适用于所有类型电子设备的高性能存储技术的领导者，今天宣布已开始批量生产第二代10纳米LPDDR4X存储器。
三星提供其第二代10纳米LPDDR4X存储器的详细信息
三星的这些新的10纳米LPDDR4X存储芯片将提高能效，并减少高级智能手机和其他当前移动应用程序的电池消耗。 三星声称，这些新芯片可将功耗降低多达10％，并在10nm处保持与第一代芯片相同的4.266 Mb / s数据速率。 所有这些都将为下一代旗舰移动设备提供显着改进的解决方案，该解决方案将于今年晚些时候或2019年上半年上市。
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三星将把其高级DRAM存储器生产线扩大70％以上，以满足目前的高需求，并且这一需求有望增加。 这项计划始于去年11月第一批8GB和10nm DDR4 DRM服务器的批量生产，而仅仅八个月后，这种16Gb LPDDR4X移动存储芯片就一直在继续。
三星通过结合四个10nm DRD LPDDR4X 16Gb芯片，创建了一个8GB LPDDR4X DRAM封装 。 这种四通道封装可以实现每秒34.1 GB的数据速率，并且与第一代封装相比，其厚度已减少了20％以上，使OEM厂商可以设计更薄，更有效的移动设备。
凭借LPDDR4X存储器的进步， 三星将通过提供各种大容量产品来迅速扩大其在移动DRAM的市场份额。
