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三星已经生产了从8 gb到2.4 gbps的hbm2存储器
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三星在高带宽堆叠存储技术（又称为HBM）方面迈出了重要的新一步。 这家韩国公司已经开始以2.4 Gbps的速度批量生产容量为8 GB 的第二代HBM2存储堆栈。
三星开始生产第二代HBM2
三星报道说，它已经开始大规模生产其第二代HBM2存储芯片 ，这些芯片 的每个堆栈的容量为8GB ， 有效工作频率为2.4Gbps，以加速该芯片的功能。下一代基于GPU的超级计算。
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与使用相同电压但仅达到1.6 Gbps速率的第一代HBM2相比，这种第二代HBM2存储器的工作电压为1.2V ，具有更高的能源效率 。 因此， 这种新内存的单个堆栈可实现307 GB / s的带宽，几乎是近年来市场上几乎所有图形卡中使用的GDDR5内存的十倍。
为了使之成为可能， TSV（直通硅通孔）技术已被用于每个管芯建立5, 000个以上的连接 ，在如此小的封装中，要成功实现这一点并不容易，这证明了三星的领导地位。
通过这种方式，三星使新一代显示卡的存储带宽高达1.2 TB / s成为可能 ，这将大大提高其性能。 目前，预计游戏卡不会使用这项新技术，因为GDDR6正在等待它们。
