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Sk hynix宣布其460 gb / s带宽的HBM2E存储器
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SK海力士今天宣布已开发出业界最高带宽的HBM2E DRAM 。 与以前的HBM2E相比，新的HBM2E具有约50％的带宽增加和100％的额外容量。
海力士宣布2020年生产HBME2存储器
SK Hynix HBM2E基于每引脚3.6 Gbps （千兆位每秒）的速度和1, 024个数据I / O （输入/输出）， 支持每秒460 GB （千兆字节）以上的带宽。 使用TSV（Through Silicon Via）技术，最多可垂直堆叠八个16千兆位芯片，从而形成一个16 GB数据容量的密集封装。
SK Hynix HBM2E是第四工业时代的最佳内存解决方案 ，支持需要最高级别内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统。 与采用模块封装形式并安装在系统板上的DRAM产品不同，HBM芯片与诸如GPU和逻辑芯片之类的处理器紧密互连，彼此之间仅间隔了几微米。甚至更快的数据传输。
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